参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	STP100N8F6
说明	功率MOSFET   TO-220-3
品牌	ST(意法半导体)
起订量	50
最小包	50
现货	384 [库存更新时间：2025-04-09]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5955pF @ 25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3
连续漏极电流Id	100A
Pd-功率耗散(Max)	176W
Qg-栅极电荷	100nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	8mΩ
漏源极电压Vds	80V
栅极电压Vgs	2V
上升时间	46ns
下降时间	21ns
典型关闭延迟时间	103ns
典型接通延迟时间	33ns
系列	STP100N8F6
通道数量	1Channel
配置	Single