参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	STN1NK60Z
说明	功率MOSFET   SOT-223
品牌	ST(意法半导体)
起订量	4000
最小包	4000
现货	8340 [库存更新时间：2024-05-11]
系列	SuperMESH™
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6.9nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	94pF @ 25V
栅极电压Vgs	±30V
Pd-功率耗散(Max)	3.3W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	15Ω@400mA,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-223
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	0.3A