参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | STN1HNK60 |
说明 | 功率MOSFET SOT-223 |
起订量 | 4 |
最小包 | 4 |
现货 | 446 [库存更新时间:2024-10-22] |
系列 | SuperMESH™ |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 156pF @ 25V |
栅极电压Vgs | ±30V |
Pd-功率耗散(Max) | 3.3W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.5Ω@500mA,10V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | SOT-223 |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 600V |
连续漏极电流Id | 0.4A |