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    STN1HNK60

    产品:功率MOSFET

    库存:446 Pcs [库存更新时间:2024-10-22]

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    产品概述
    参数
    产品功率MOSFET
    型号编码STN1HNK60
    说明功率MOSFET   SOT-223
    起订量4
    最小包4
    现货446 [库存更新时间:2024-10-22]
    系列SuperMESH™
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)10V
    不同Id时的Vgs(th)(最大值)3.7V @ 250µA
    不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)10nC @ 10V
    不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)156pF @ 25V
    栅极电压Vgs±30V
    Pd-功率耗散(Max)3.3W(Tc)
    Rds On(Max)@Id,Vgs8.5Ω@500mA,10V
    工作温度-55°C~150°C(TJ)
    封装/外壳SOT-223
    FET类型N-Channel
    漏源极电压Vds600V
    连续漏极电流Id0.4A

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