参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STGWT60H65DFB
说明	通用MOSFET   TO-3P
品牌	ST(意法半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	107 [库存更新时间：2024-06-06]
IGBT类型	沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）	650V
电流-集电极（Ic）（最大值）	80A
脉冲电流-集电极(Icm)	240A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	2V @ 15V,60A
Pd-功率耗散(Max)	375W
开关能量	1.09mJ(开),626µJ(关)
输入类型	标准
25°C时Td（开/关）值	51ns/160ns
测试条件	400V,60A,5 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	60ns
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-3P