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    STGWA25H120DF2

    品牌:ST(意法半导体)

    产品:通用MOSFET

    库存:164 Pcs [库存更新时间:2024-10-22]

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    产品概述
    参数
    产品通用MOSFET
    型号编码STGWA25H120DF2
    说明通用MOSFET   TO-247-3
    品牌ST(意法半导体)
    起订量30
    最小包30
    现货164 [库存更新时间:2024-10-22]
    IGBT类型沟槽型场截止
    电压-集射极击穿(最大值)1200V
    电流-集电极(Ic)(最大值)50A
    脉冲电流-集电极(Icm)100A
    不同 Vge,Ic时的 Vce(on)2.6V @ 15V,25A
    Pd-功率耗散(Max)375W
    开关能量600µJ(开),700µJ(关)
    输入类型标准
    25°C时Td(开/关)值29ns/130ns
    测试条件600V,25A,10 欧姆,15V
    反向恢复时间(trr)303ns
    工作温度-55°C~175°C(TJ)
    封装/外壳TO-247-3

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