参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STGP30H65F
说明	通用MOSFET   TO-220
品牌	ST(意法半导体)
起订量	50
最小包	50
现货	409 [库存更新时间：2025-04-17]
IGBT类型	沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）	650V
电流-集电极（Ic）（最大值）	60A
脉冲电流-集电极(Icm)	120A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	2.4V @ 15V,30A
Pd-功率耗散(Max)	260W
开关能量	350µJ(开),400µJ(关)
输入类型	标准
25°C时Td（开/关）值	50ns/160ns
测试条件	400V,30A,10 欧姆,15V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-220