参数	值
产品	未分类
型号编码	STD10NF10
说明	未分类   DPAK(TO-252) 6.6x6.2x2.4mm 6.6mm
品牌	ST(意法半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	106 [库存更新时间：2025-04-08]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	13 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	130 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	50W
高度	2.4mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	6.6 x 6.2 x 2.4mm
宽度	6.2mm
系列	STripFET
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	460 pF@ 25 V
典型关断延迟时间	32 ns
典型接通延迟时间	16 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
长度	6.6mm