参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | STB75NF20 |
说明 | 通用MOSFET TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK |
品牌 | ST(意法半导体) |
起订量 | 1000 |
最小包 | 1000 |
现货 | 2986 [库存更新时间:2025-04-01] |
系列 | STripFET™ |
连续漏极电流Id | 75A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 84nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3260pF @ 25V |
栅极电压Vgs | ±20V |
Pd-功率耗散(Max) | 190W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 34m Ohms@37A,10V |
工作温度 | -50°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
封装/外壳 | D2PAK |
FET类型 | N-Channel |
下降时间 | 29 ns |
正向跨导 gFS(最大值/最小值) | 40 S |
最小工作温度 | - 50 C |
Pd-功率耗散(Max) | 190W |
上升时间 | 33 ns |
典型关闭延迟时间 | 75 ns |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 200V |
漏源极电压Vds | ±20V |
连续漏极电流Id | 75A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 34mΩ |
配置 | Single |
最大工作温度 | + 150 C |