| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | STB75NF20 |
| 说明 | 通用MOSFET TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 起订量 | 1000 |
| 最小包 | 1000 |
| 现货 | 2986 [库存更新时间:2026-03-13] |
| 系列 | STripFET™ |
| 连续漏极电流Id | 75A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 84nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3260pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 190W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 34m Ohms@37A,10V |
| 工作温度 | -50°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| FET类型 | N-Channel |
| 下降时间 | 29 ns |
| 正向跨导 gFS(最大值/最小值) | 40 S |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| Pd-功率耗散(Max) | 190W |
| 上升时间 | 33 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 200V |
| 漏源极电压Vds | ±20V |
| 连续漏极电流Id | 75A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 34mΩ |
| 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C |


