参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	STB60NF06LT4
说明	功率MOSFET   10.4mm D2PAK
起订量	1
最小包	1
现货	440 [库存更新时间：2024-05-09]
系列	STB
高度	4.6 mm
长度	10.4 mm
宽度	9.35 mm
配置	Single
下降时间	30 ns
典型接通延迟时间	35 ns
上升时间	220 ns
通道数量	1 Channel
典型关闭延迟时间	55 ns
正向跨导-最小值	20 S
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	66nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2000pF @ 25V
栅极电压Vgs	±15V
Pd-功率耗散(Max)	110W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	14mΩ@30A,10V
工作温度	-65°C~175°C(TJ)
封装/外壳	D2PAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	60A