参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | STB38N65M5 |
说明 | 通用MOSFET TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK |
品牌 | ST(意法半导体) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 106 [库存更新时间:2025-04-02] |
系列 | MDmesh™ V |
连续漏极电流Id | 30A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 71nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3000pF @ 100V |
栅极电压Vgs | ±25V |
Pd-功率耗散(Max) | 190W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 95mΩ@15A,10V |
工作温度 | 150°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
封装/外壳 | D2PAK |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 650V |
连续漏极电流Id | 30A |