参数	值
产品	未分类
型号编码	NSS1C200LT1G
说明	未分类   SOT-23-3(TO-236) SOT-23
品牌	ON(安森美)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6106 [库存更新时间：2025-04-02]
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 200mA,2A
电流-集电极截止（最大值）	100nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 50mA,2V
Power-Max	490mW
频率-跃迁	120MHz
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳	SOT-23
FET类型	P-Channel
集电极最大允许电流Ic	2A
集电极_发射极击穿电压VCEO	100V