| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | SQS966ENW-T1_GE3 |
| 说明 | 功率MOSFET PowerPAK-1212-8 |
| 品牌 | Vishay(威世) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 140 [库存更新时间：2025-04-10] |
| 连续漏极电流Id | 6A |
| Pd-功率耗散(Max) | 27.8W |
| Qg-栅极电荷 | 6.2nC |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 36mΩ |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 栅极电压Vgs | 1.5V |
| 上升时间 | 1.7ns |
| 下降时间 | 4.8ns |
| 典型关闭延迟时间 | 14ns |
| 典型接通延迟时间 | 7.9ns |
| 封装/外壳 | PowerPAK-1212-8 |
| 正向跨导 - 最小值 | 2.8S |
| 通道数量 | 2Channel |
| 配置 | Dual |
| 工作温度 | -55°C~175°C |
| FET类型 | N-Channel |
IC普拉斯 元器件现货
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