参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SQM90142E_GE3
说明	功率MOSFET   TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	278 [库存更新时间：2025-04-01]
系列	汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	95A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	85nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4200pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	375W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	15.3mΩ@20A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak,TO-263AB