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    SQM120P10_10M1LGE3

    品牌:Vishay(威世)

    产品:功率MOSFET

    库存:1904 Pcs [库存更新时间:2024-05-09]

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    产品概述
    参数
    产品功率MOSFET
    型号编码SQM120P10_10M1LGE3
    说明功率MOSFET   TO-263-3 10.67mm
    品牌Vishay(威世)
    起订量800
    最小包800
    现货1904 [库存更新时间:2024-05-09]
    连续漏极电流Id120A
    Pd-功率耗散(Max)375W
    Qg-栅极电荷190nC
    Rds On(Max)@Id,Vgs8.1mΩ
    漏源极电压Vds100V
    栅极电压Vgs2.5V
    上升时间100ns
    下降时间200ns
    典型关闭延迟时间120ns
    典型接通延迟时间20ns
    宽度9.65mm
    封装/外壳TO-263-3
    正向跨导 - 最小值60S
    系列SQ
    通道数量1Channel
    配置Single
    长度10.67mm
    高度4.83mm
    工作温度-55°C~175°C

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