参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SQJ469EP-T1_GE3
说明	功率MOSFET   SOIC-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6273 [库存更新时间：2025-04-01]
系列	汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	32A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	155nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	5100pF @ 40V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	25mΩ@10.2A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	SOIC-8
漏源极电压Vds	80V
连续漏极电流Id	32A
Rds On(Max)@Id,Vgs	25mΩ