参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SQ4961EY-T1_GE3
说明	功率MOSFET   SO-8 4.9mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5304 [库存更新时间：2024-05-19]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1140pF @ 25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	4.4A
Pd-功率耗散(Max)	3.3W
Qg-栅极电荷	40nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	70mΩ
漏源极电压Vds	60V
栅极电压Vgs	2.5V
上升时间	13ns
下降时间	8ns
典型关闭延迟时间	36ns
典型接通延迟时间	11ns
宽度	3.9mm
封装/外壳	SO-8
正向跨导 - 最小值	9S
系列	SQ
通道数量	2Channel
配置	Dual
长度	4.9mm
高度	1.75mm