| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | SQ4435EY-T1_GE3 |
| 说明 | 功率MOSFET 4.9mm -30V |
| 品牌 | Vishay(威世) |
| 起订量 | 2500 |
| 最小包 | 2500 |
| 现货 | 5249 [库存更新时间：2025-04-11] |
| 通道数量 | 1Channel |
| 漏源极电压Vds | -30V |
| 连续漏极电流Id | -15A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 13mΩ |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| Qg-栅极电荷 | 58nC |
| 配置 | Single |
| 高度 | 1.75mm |
| 长度 | 4.9mm |
| 系列 | SQ |
| FET类型 | P-Channel |
| 宽度 | 3.9mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 22S |
| 下降时间 | 10ns |
| 上升时间 | 9ns |
| 典型关闭延迟时间 | 45.3ns |
| 典型接通延迟时间 | 12.5ns |
| 工作温度 | -55°C~175°C |
| Pd-功率耗散(Max) | 6.8W |
| 电压 | -30V |
IC普拉斯 元器件现货
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