参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SQ2310ES-T1_GE3
说明	功率MOSFET   SOT-23-3
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	302 [库存更新时间：2024-05-06]
系列	SQ
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	8.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	485pF @ 10V
栅极电压Vgs	±8V
Pd-功率耗散(Max)	2W(Tc)
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	6A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	8.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	485pF @ 10V
Rds On(Max)@Id,Vgs	30mΩ@5A,4.5V