参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPU04N60C3
说明	功率MOSFET   PG-TO251-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1500
最小包	1500
现货	3290 [库存更新时间：2024-05-23]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	490pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	50W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	950mΩ@2.8A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO251-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	4.5A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	25nC @ 10V