参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SPP15P10PHXKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO-220-3 PG-TO220-3 TO-220 10.36mm 10.36x4.57x15.95mm
起订量	500
最小包	500
现货	1437 [库存更新时间：2024-05-19]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	15A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 1.54mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	48nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1280pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	128W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	240 毫欧 @ 10.6A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO-220-3
封装/外壳	PG-TO220-3
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	15 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.24 0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2.1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	小信号
Pd-功率耗散(Max)	128W
宽度	4.57mm
高度	15.95mm
最低工作温度	-55 °C
长度	10.36mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向跨导	9.3S
正向二极管电压	1.35V
系列	SIPMOS
封装/外壳	10.36 x 4.57 x 15.95mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	961 pF @ -25 V
典型关断延迟时间	33 ns
典型接通延迟时间	9.5 ns
最高工作温度	+175 °C