参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPD04N60S5
说明	功率MOSFET   PG-TO252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5290 [库存更新时间：2024-05-16]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	4.5A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5.5V @ 200µA
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	50W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	950mΩ@2.8A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22.9nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	580pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
封装/外壳	PG-TO252-3