| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | SPD02N80C3 |
| 说明 | 功率MOSFET 6.5mm DPAK(TO-252) |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 2500 |
| 最小包 | 2500 |
| 现货 | 5290 [库存更新时间:1970-01-01] |
| 通道数量 | 1Channel |
| Qg-栅极电荷 | 16nC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 42W |
| 高度 | 2.3mm |
| 长度 | 6.5mm |
| 系列 | CoolMOSC3 |
| 宽度 | 6.22mm |
| 下降时间 | 18ns |
| 上升时间 | 15ns |
| 典型关闭延迟时间 | 72ns |
| 典型接通延迟时间 | 25ns |
| Moisture Level | 1 Ohms |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2700mΩ |
| 漏源极电压Vds | 800V |
| 连续漏极电流Id | 2A |
| RthJC max | 3.0 K/W |
| QG (typ @10V) | 9.0 nC |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) |
| Budgetary Price €/1k | 0.48 |
| Ptot max | 42.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Pin Count | 3.0Pins |
| RthJA max | 62.0K/W |
| 栅极电压Vgs | 2.1V,3.9V |
| Mounting | SMT |
| Mode | Enhancement |
| Special Features | price/performance |
| 工作温度 | -55°C~150°C |


