参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPB11N60C3
说明	功率MOSFET   10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	326 [库存更新时间：2025-04-05]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1200pF @ 25V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	60nC @ 10V
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	11A
Rds On(Max)@Id,Vgs	380mΩ
栅极电压Vgs	2.1V
Qg-栅极电荷	45nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	125W
高度	4.4mm
长度	10mm
系列	CoolMOSC3
FET类型	N-Channel
宽度	9.25mm
正向跨导 - 最小值	8.3S
下降时间	5ns
典型关闭延迟时间	44ns
典型接通延迟时间	10ns