参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPA04N80C3
说明	功率MOSFET   PG-TO220-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	325 [库存更新时间：2025-04-06]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	570pF @ 100V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	38W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.3Ω@2.5A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	800V
连续漏极电流Id	4A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 240µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	31nC @ 10V