| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | SMDA15CDR2G |
| 说明 | 未分类 8-SOIC SOIC-8 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) |
| 品牌 | ON(安森美) |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 2500 |
| 现货 | 1229 [库存更新时间:2026-01-27] |
| FET类型 | 齐纳 |
| 双向通道 | 4 |
| 反向对峙电压VRWM | 15V(最大) |
| 箝位电压VCL(max) | 30V |
| 峰值脉冲电流Ipp | 10A(8/20µs) |
| 电源线路保护 | 无 |
| 不同频率时的电容 | 75pF @ 1MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | SOIC-8 |
| 反向工作电压VRWM | 15V |
| 结电容Cj | 75pF |
| 最大峰值脉冲功率Ppp | 300W |
| 反向漏电流IR | 1uA |
| 反向击穿电压(最小值)VBR_Min | 16.7V |
| 功率 - 峰值脉冲 | 300W |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 反向对峙电压VRWM | 15V(最大) |
| 击穿电压VBR(min) | 16.7V |
| 箝位电压VCL(max) | 30V |
| 峰值脉冲电流Ipp | 10A(8/20µs) |


