参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SISS10DN-T1-GE3
说明	通用MOSFET   8-PowerVDFN PowerPak1212-8S
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6792 [库存更新时间：2025-04-14]
系列	TrenchFET®
连续漏极电流Id	60A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	75nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3750pF @ 20V
栅极电压Vgs	+20V,-16V
Pd-功率耗散(Max)	57W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.65m Ohms@15A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-PowerVDFN
封装/外壳	PowerPak 1212-8S
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	60A
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.2mΩ
漏源极电压Vds	1.1V