参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | SIJA58DP-T1-GE3 |
说明 | 未分类 |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6140 [库存更新时间:2025-04-21] |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 75nC @ 10V |
栅极电压Vgs | +20V,-16V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3750pF @ 20V |
功率 | 27.7W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.65 毫欧 @ 15A,10V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 40V |
连续漏极电流Id | 60A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |