参数	值
产品	未分类
型号编码	SIHLZ44STRR-GE3
说明	未分类   D2PAK(TO-263)
品牌	Vishay(威世)
起订量	5
最小包	5
现货	173 [库存更新时间：2025-04-08]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	50A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.039 0hms
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-10 V、+10 V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	150W
每片芯片元件数目	1 Ohms
典型接通延迟时间	17 ns
典型关断延迟时间	42 ns
漏源极电压Vds	3300 pF@ 25 V
最高工作温度	+175 °C
最低工作温度	-55 °C
晶体管材料	Si