参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIHG61N65EF-GE3
说明	功率MOSFET   TO-247-3
品牌	Vishay(威世)
起订量	1
最小包	500
现货	263 [库存更新时间：2025-04-22]
系列	E
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	64A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	371nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7407pF @ 100V
栅极电压Vgs	±30V
Pd-功率耗散(Max)	520W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	47mΩ@30.5A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-247-3