| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | IGBT |
| 型号编码 | SIGC12T120LE |
| 说明 | IGBT WAFERSAWN |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 1 |
| 现货 | 291 [库存更新时间：2025-04-08] |
| 封装/外壳 | WAFER SAWN |
| tf | 0.14ns |
| 漏源极电压Vds | 1200V |
| Technology | IGBT3 |
| tr | 0.026ns |
| 工作温度 | -40.0°C 150.0°C |
| VCE(sat) max | 2.1V |
| IC max | 8.0A |
| VGE(th) min max | 5.0V 6.5V |
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