参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SI8851EDB-T2-E1
说明	通用MOSFET   30-XFBGA MicroFoot-30
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6319 [库存更新时间：2025-04-15]
系列	TrenchFET®
连续漏极电流Id	7.7A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	180nC @ 8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	6900pF @ 10V
栅极电压Vgs	±8V
Pd-功率耗散(Max)	660mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8m Ohms@7A,4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	30-XFBGA
封装/外壳	MicroFoot-30
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	16.7A
Rds On(Max)@Id,Vgs	8mΩ