参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SI8823EDB-T2-E1
说明	通用MOSFET   4-XFBGA
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	21695 [库存更新时间：2025-04-22]
系列	TrenchFET® Gen III
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	2.7A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	800mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	580pF @ 10V
栅极电压Vgs	±8V
Pd-功率耗散(Max)	900mW(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	95m Ohms@1A,4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	4-XFBGA