| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | SI8800EDB-T2-E1 |
| 说明 | 通用MOSFET 4-XFBGA,CSPBGA |
| 起订量 | 3 |
| 最小包 | 3 |
| 现货 | 487 [库存更新时间：2025-04-16] |
| 连续漏极电流Id | 2A(Ta) |
| FET类型 | N-Channel |
| Vgs(最大值) | ±8V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 80 mOhms @ 1A,4.5V |
| Vgs(th) | 1V @ 250uA |
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Ta) |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA,CSPBGA |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
| 漏源极电压Vds | 20V |
IC普拉斯 元器件现货