参数 | 值 |
---|---|
产品 | 未分类 |
型号编码 | SI5855DC-T1-GE3 |
说明 | 未分类 1206-8 |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 434 [库存更新时间:2025-04-08] |
包装类型 | 卷 |
包装类型 | 胶带 |
安装 | SMD |
封装/外壳 | 1206-8 |
开启状态电阻 | 240m Ohms |
FET类型 | P-MOSFET + Schottky |
极化 | 单极 |
栅极-源极电压 | ±8V |
漏极-源极电压 | -20V |
漏极电流 | -1.9A |
耗电 | 0.6W |
参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | SI5855DC-T1-GE3 |
说明 | 未分类 1206-8 |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 434 [库存更新时间:2025-04-08] |
包装类型 | 卷 |
包装类型 | 胶带 |
安装 | SMD |
封装/外壳 | 1206-8 |
开启状态电阻 | 240m Ohms |
FET类型 | P-MOSFET + Schottky |
极化 | 单极 |
栅极-源极电压 | ±8V |
漏极-源极电压 | -20V |
漏极电流 | -1.9A |
耗电 | 0.6W |