| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | SI5519DU-T1-GE3 |
| 说明 | 通用MOSFET PowerPAK®CHIPFET™双 |
| 品牌 | Vishay(威世) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 493 [库存更新时间：2025-04-17] |
| 连续漏极电流Id | 6A |
| FET类型 | N+P-Channel |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 36 mOhms @ 6.1A,4.5V |
| Vgs(th) | 1.8V @ 250uA |
| Pd-功率耗散(Max) | 10.4W |
| 封装/外壳 | PowerPAK® CHIPFET™ 双 |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
| 漏源极电压Vds | 20V |
IC普拉斯 元器件现货