参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SI4946BEY-T1-GE3
说明	功率MOSFET   SOIC-8
起订量	0
最小包	0
现货	395 [库存更新时间：2025-04-20]
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	25nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	840pF @ 30V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	SOIC-8
连续漏极电流Id	6.5A
Pd-功率耗散(Max)	3.7W
Qg-栅极电荷	17nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	41mΩ
漏源极电压Vds	60V
栅极电压Vgs	1V
上升时间	12ns
下降时间	10ns
典型关闭延迟时间	25ns
典型接通延迟时间	10ns
正向跨导 - 最小值	24S
系列	SI4
通道数量	2Channel
配置	Dual