参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI4936ADY-T1-E3 |
说明 | 通用MOSFET 8-SO SOIC-8 |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 630 [库存更新时间:2025-04-22] |
系列 | TrenchFET® |
FET类型 | 2N-Channel |
连续漏极电流Id | 4.4A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 36m Ohms@5.9A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20nC @ 10V |
Pd-功率耗散(Max) | 1.1W |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | 8-SO |
封装/外壳 | SOIC-8 |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 5.9A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 36mΩ |