参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SI4931DY-T1-E3
说明	通用MOSFET   8-SO SOIC-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	701 [库存更新时间：2025-04-22]
系列	TrenchFET®
FET类型	2P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs	18mΩ@8.9A,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 350µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	52nC @ 4.5V
Pd-功率耗散(Max)	1.1W
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	SOIC-8
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	6.7A
Rds On(Max)@Id,Vgs	18mΩ