| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | SI4590DY-T1-GE3 |
| 说明 | 通用MOSFET 8-SO SOIC-8 |
| 品牌 | Vishay(威世) |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 2500 |
| 现货 | 15156 [库存更新时间：2025-04-22] |
| 系列 | TrenchFET® |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 3.4A,2.8A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 57m Ohms@2A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11.5nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 360pF @ 50V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.4W,3.4W |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SO |
| 封装/外壳 | SOIC-8 |
| FET类型 | N+P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 100V,100V |
| 连续漏极电流Id | 5.6A,3.4A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 72m Ohms,205m Ohms |
| 漏源极电压Vds | 1.5V,1.5V |
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