参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI4501ADY-T1-E3 |
说明 | 通用MOSFET 8-SOIC |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 423 [库存更新时间:2025-04-18] |
连续漏极电流Id | 6.3A,4.1A |
FET类型 | N+P-Channel |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 18 mOhms @ 8.8A,10V |
Vgs(th) | 1.8V @ 250uA |
Pd-功率耗散(Max) | 1.3W |
封装/外壳 | 8-SOIC |
工作温度 | -55℃~150℃ |
漏源极电压Vds | 30V,8V |