| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | SI4447DY-T1-E3n |
| 说明 | 通用MOSFET 8-SOIC |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 1 |
| 现货 | 397 [库存更新时间：2024-05-19] |
| 连续漏极电流Id | 3.3A(Ta) |
| FET类型 | P-Channel |
| Vgs(最大值) | ±16V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 72 mOhms @ 4.5A,15V |
| Vgs(th) | 2.2V @ 250uA |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.1W(Ta) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
| 漏源极电压Vds | 40V |
IC普拉斯 元器件现货