参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | SH8J62TB1 |
说明 | 功率MOSFET 8-SOP |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 395 [库存更新时间:2025-04-12] |
系列 | SH |
正向跨导-最小值 | 3.5 S |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8nC @ 5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 800pF @ 10V |
工作温度 | 150°C(TJ) |
封装/外壳 | 8-SOP |
连续漏极电流Id | 4.5A |
Pd-功率耗散(Max) | 2W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ |
漏源极电压Vds | 30V |
正向跨导 - 最小值 | 3.5S |