参数 | 值 |
---|---|
产品 | 小信号MOSFET |
型号编码 | RSE002N06TL |
说明 | 小信号MOSFET EMT |
品牌 | ROHM(罗姆) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 484 [库存更新时间:2025-04-06] |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 15pF @ 25V |
工作温度 | 150°C(TJ) |
封装/外壳 | EMT |
连续漏极电流Id | 250mA |
Pd-功率耗散(Max) | 150mW |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.7Ω |
漏源极电压Vds | 60V |
栅极电压Vgs | 20V |
上升时间 | 5ns |
下降时间 | 28ns |
典型关闭延迟时间 | 18ns |
典型接通延迟时间 | 3.5ns |
正向跨导 - 最小值 | 0.25S |
系列 | RSE002N06 |
通道数量 | 1Channel |
配置 | Single |
FET类型 | N-Channel |