参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	RSE002N06TL
说明	小信号MOSFET   EMT
品牌	ROHM(罗姆)
现货	484 [库存更新时间：1970-01-01]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.3V @ 1mA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	15pF @ 25V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	EMT
连续漏极电流Id	250mA
Pd-功率耗散(Max)	150mW
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.7Ω
漏源极电压Vds	60V
栅极电压Vgs	20V
上升时间	5ns
下降时间	28ns
典型关闭延迟时间	18ns
典型接通延迟时间	3.5ns
正向跨导 - 最小值	0.25S
系列	RSE002N06
通道数量	1Channel
配置	Single
FET类型	N-Channel