参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	RDR005N25TL
说明	通用MOSFET   TSMT3
起订量	3
最小包	3
现货	421 [库存更新时间：2024-05-22]
工作温度	150°C(TJ)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	4V,10V
技术	MOSFET(金属氧化物)
FET类型	N 通道
漏源电压(Vdss)	250V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	70pF @ 25V
封装/外壳	TSMT3
25°C时电流-连续漏极(Id)	500mA(Ta)
不同Id时Vgs(th)(最大值)	3V @ 1mA
功率耗散(最大值)	540mW(Ta)
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值)	3.5nC @ 10V
Vgs(最大值)	±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	8.8 欧姆 @ 250mA,10V