参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	RDD023N50TL
说明	通用MOSFET   CPT3
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	2
最小包	2
现货	488 [库存更新时间：2025-12-16]
工作温度	150°C(TJ)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	4V,10V
技术	MOSFET(金属氧化物)
FET类型	N 通道
漏源电压(Vdss)	500V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	151pF @ 25V
封装/外壳	CPT3
25°C时电流-连续漏极(Id)	2A(Tc)
不同Id时Vgs(th)(最大值)	2V @ 1mA
功率耗散(最大值)	20W(Tc)
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值)	11nC @ 10V
Vgs(最大值)	±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	5.4 欧姆 @ 1A,10V