参数 | 值 |
---|---|
产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | QS8M13TCR |
说明 | 通用MOSFET TSMT8 TSMT |
品牌 | ROHM(罗姆) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 131 [库存更新时间:2025-04-03] |
连续漏极电流Id | 6A,5A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 28mΩ@6A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5.5nC @ 5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 390pF @ 10V |
Pd-功率耗散(Max) | 1.5W |
工作温度 | 150°C(TJ) |
封装/外壳 | TSMT8 |
封装/外壳 | TSMT |
FET类型 | N+P-Channel |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 6A/5A |