| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 小信号MOSFET |
| 型号编码 | PMGD780SN,115 |
| 说明 | 小信号MOSFET SOT363 |
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| 现货 | 965 [库存更新时间:1970-01-01] |
| 封装/外壳 | SOT363 |
| FET类型 | N-Channel |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 1400mΩ@4.5V,920mΩ@10V |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.41W |
| 工作温度 | 150℃ |
| 栅极电压Vgs | 2V,20V |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 输入电容 | 23pF |
| 输出电容 | 5pF |


| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 小信号MOSFET |
| 型号编码 | PMGD780SN,115 |
| 说明 | 小信号MOSFET SOT363 |
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| 现货 | 965 [库存更新时间:1970-01-01] |
| 封装/外壳 | SOT363 |
| FET类型 | N-Channel |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 1400mΩ@4.5V,920mΩ@10V |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.41W |
| 工作温度 | 150℃ |
| 栅极电压Vgs | 2V,20V |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 输入电容 | 23pF |
| 输出电容 | 5pF |