参数	值
产品	未分类
型号编码	NVD4804NT4G
说明	未分类   DPAK(TO-252) 6.73mm 6.73x7.49x2.38mm
品牌	ON(安森美)
起订量	1
最小包	2
现货	802 [库存更新时间：2025-04-12]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	117 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	5.5 m0hms
栅极电压Vgs	2.5V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	107 W
典型接通延迟时间	18 ns
典型关断延迟时间	35 ns
漏源极电压Vds	4490 pF@ 12 V
晶体管材料	Si
宽度	7.49mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
长度	6.73mm
高度	2.38mm
封装/外壳	6.73 x 7.49 x 2.38mm
每片芯片元件数目	1 Ohms