参数	值
产品	未分类
型号编码	NTZD3152PT1G
说明	未分类   SOT-563,SOT-666 SOT-563
品牌	ON(安森美)
起订量	4000
最小包	4000
现货	8109 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	2 个 P 沟道(双)
FET类型	标准
连续漏极电流Id	430mA
Rds On(Max)@Id,Vgs	900 毫欧 @ 430mA,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	2.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	175pF @ 16V
功率	1/4W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-563,SOT-666
封装/外壳	SOT-563
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	0.43A