参数	值
产品	未分类
型号编码	NCV33152DR2G
说明	未分类   8-SOIC SOIC-8
品牌	ON(安森美)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5106 [库存更新时间：1970-01-01]
驱动配置	低压侧
FET类型	独立式
驱动器数	2
栅极类型	N 沟道 MOSFET
电压-电源	6.1 V ~ 18 V
逻辑电压 -VIL，VIH	0.8V,2.6V
电流-峰值输出（灌入，拉出）	1.5A,1.5A
输入类型	非反相
上升/下降时间（典型值）	36ns,32ns
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC
封装/外壳	SOIC-8
配置	Non-Inverting
最小工作温度	- 40 C
激励器数量	2
FET类型	High Speed
上升时间	36 ns
下降时间	32 ns
电源电压-最小	6.5 V
电源电流	10.5 mA
功率	560 mW
最大工作温度	+ 125 C